| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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