| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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