| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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