晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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2N7275 |
N沟 200V 5A |
金属氧化物场效应管 |
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2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2SC5200 |
2SA1943 *K |
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BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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