| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
|
|
| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
|
|
| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
|
|
| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
|
|
| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
|
|
| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
|
|
| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
|
|
| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
