| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N2222 |
硅 NPN 60V 0.8A 0.5W 25/200ns β=100-300 *K |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N2222A |
硅 NPN 75V 0.8A 0.5W 25/200ns β=100-300 *K |
普通用途 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC1815 |
硅 NPN 60V 150mA 400mW *K |
低噪声音频放大 |
TO-92 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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