晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
2N7272R |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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BC262 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A <70ns |
开关管 |
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2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
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2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
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BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2SC1815 |
硅 NPN 60V 150mA 400mW *K |
低噪声音频放大 |
TO-92 |
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2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
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2N5551 |
硅 NPN 180V 0.6A 0.3W *K |
视频输出管 |
TO-92,SOT-23 |
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2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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