| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| BC270B |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC269 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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