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晶体管技术参数查询--杭州精灵电子
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晶体管型号晶体管参数用途封装简介
BC260 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 普通用途
BC272 硅 NPN 45V 1A 0.3W 普通用途
AF280V 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
2N7275 N沟 200V 5A 金属氧化物场效应管
2N7274 N沟 200V 8A 金属氧化物场效应管
BC268C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
BC264LB N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC264LC N沟 30V 5-8mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC264D N沟 30V 7-12mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC264C N沟 30V 5-8mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
BC264 N沟 30V 12mA 0.3W 场效应音频/前置输入级对称类管
2SC2538 硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz 用于VHF频段及射频
BC260B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 普通用途
BC269C 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 低噪声管
BC261B 硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
BC267A 硅 NPN 50V 0.5A 0.375W 普通用途
BC274A 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K 普通用途
BC262B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 普通用途
2SC1972 硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz VHF功率放大
BC274 硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K 普通用途
BC268B 硅 NPN 30V 0.5A 0.375W 普通用途
2N7228J N沟 500V 12A 金属氧化物场效应功率放大管
2N7243 N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω MOS场效应开关/功率放大管
AF280VI 锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz 高频管
BC260C 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 普通用途
BC268 硅 NPN 30V 0.5A 0.357W 普通用途
BC263B 硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K 低噪声管
2N7230 P 沟 200V 25A 金属氧化物场效应管
BC259C 硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K 低噪声管
2N7271R N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω MOS场效应功率放大管
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