| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
|
|
| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
|
| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC267 |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
|
|
|
| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC259C |
硅 PNP 25V 0.1A 0.3W 130MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
|
|
| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
|
|
| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N3055C |
硅 NPN 140V 30A 150W |
普通用途 |
|
|
| 2N3055A |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
|
|
| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
|
|
