| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
|
|
| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
|
|
| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N3055 |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
|
|
| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A <70ns |
开关管 |
|
|
| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
|
|
|
| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
|
|
| 2N7271H |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
|
| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| 2SA1015 柝 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
普通用途 |
|
|
| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
|
|
| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
|
|
| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC268 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.357W |
普通用途 |
|
|