| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7230 |
P 沟 200V 25A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC270-5 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055U |
硅 NPN |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| 2SC2851 |
硅 NPN 36V 300mA 1W 2GHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7273R |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
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| 2N3055S |
硅 NPN 100V 15A 117W |
音频放大\开关及功率放大 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC263B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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