| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
|
| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
|
|
| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N5551 |
硅 NPN 180V 0.6A 0.3W *K |
视频输出管 |
TO-92,SOT-23 |
|
| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7244 |
N沟 400V 4.5A 75W 40/35ns Ron=1.8Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
|
|
| 2N7275H |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC260A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N7271R |
N沟 100V 14A 75W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
|
|
| BC261C |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| 2N722A |
硅 PNP 50V 0.5A 0.4W |
普通用途 |
|
|
| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
|
| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
|
|
| 2N7228J |
N沟 500V 12A |
金属氧化物场效应功率放大管 |
|
|
