| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SC2538 |
硅 NPN 40V 0.4A 0.7W PQ=0.6W/175MHz |
用于VHF频段及射频 |
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| 2SC1972 |
硅 NPN 35V 3.5A 25W PQ=15W/175MHz |
VHF功率放大 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC261 |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC267A |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274R |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7242 |
N沟 200V 9A 75W 80/45ns Ron=0.51Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N5551 |
硅 NPN 180V 0.6A 0.3W *K |
视频输出管 |
TO-92,SOT-23 |
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| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7243 |
N沟 500V 5.5A 75W 40/35ns Ron=1.22Ω |
MOS场效应开关/功率放大管 |
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| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7275R |
N沟 200V 5A 25W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264B |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
通用型场效应管 |
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| 2N7262 |
N沟 200V 5.5A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC269B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC268 |
硅 NPN 30V 0.5A 0.357W |
普通用途 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC274A |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHz β=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC260B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC272 |
硅 NPN 45V 1A 0.3W |
普通用途 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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