| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| BC270-6 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2SC5200 |
2SA1943 *K |
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| BC264D |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264LC |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| AF280VIII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| 2N7271 |
N沟 100V 14A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| AF280VI |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7276R |
N沟 200V 7A 50W Ron=0.515Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264SM |
N沟 30V 12mA 0.35W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7270 |
N沟 500V 11A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| BC266A |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| BC270 |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N3055H |
硅 NPN 100V 15A 115W 0.8MHz |
普通用途 |
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| 2N7288H |
N沟 250V 9A 75W Ron=0.415Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| 2N7272 |
N沟 100V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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| AF280VII |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N3055V |
硅 NPN |
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| BC260 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHzβ=35-600 |
普通用途 |
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| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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