| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| BC262B |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC262C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| BC274 |
硅 PNP 50V 0.1A 0.3W 130MHzβ=50-500 *K |
普通用途 |
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| BC270A |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274 |
N沟 200V 8A |
金属氧化物场效应管 |
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| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
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| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| 2N7274H |
N沟 200V 8A 75W Ron=0.5Ω |
MOS场效应功率放大管 |
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| BC264 |
N沟 30V 12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2N7261 |
N沟 100V 8.0A 25W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N725 |
锗 PNP 15V 0.05A ＜70ns |
开关管 |
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| BC268B |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
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| AF280V |
锗 PNP 25V 10mA 0.06W 40MHz |
高频管 |
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| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N7268 |
N沟 100V 34A 150W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2N726 |
硅 PNP 25V 0.05A β=15-45 |
普通用途 |
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| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
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| BC269C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
低噪声管 |
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| BC262A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
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| 2N7237 |
P 沟 200V 11A 125W |
金属氧化物场效应管 |
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| 2SA1015 |
硅 PNP 50V 0.15A 0.4W *K |
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| 2N5401 |
硅 PNP 160V 0.6A 0.3W *K |
开关管 |
TO-92,SOT-23 |
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| BC263A |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
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| 2SC3355 贴片 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
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| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264C |
N沟 30V 5-8mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| BC264LB |
N沟 30V 3.5-6.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
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| 2SC3355 |
硅 NPN 20V 100mA 0.6W 6.5GHz |
用于UHF频段及射频 |
TO-92 |
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