| 晶体管型号 | 晶体管参数 | 用途 | 封装 | 简介 |
| 2N7228 |
N 沟 500V 12A 150W 190/130ns Ron=0.515Ω |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC267B |
硅 NPN 50V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC266B |
硅 PNP 64V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC266 |
硅 PNP 64V 0.1 A 0.3W 200MHzβ=125-500 *K |
普通用途 |
|
|
| BC264LA |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC264A |
N沟 30V 2-4.5mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC263LD |
N沟 30V 7-12mA 0.3W |
场效应音频/前置输入级对称类管 |
|
|
| BC263C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC263 |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 200MHzβ=125-900 *K |
低噪声管 |
|
|
| BC261A |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC270C |
硅 NPN 20V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| BC268C |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7272H |
N沟 100V 8A 25W Ron=0.18Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| 2N7273H |
N沟 100V 12A 50W Ron=0.195Ω |
MOS场效应功率放大管 |
|
|
| BC260C |
硅 PNP 20V 0.1A 0.3W 180MHz β=35-600 |
普通用途 |
|
|
| BC261B |
硅 PNP 45V 0.1A 0.3W 200MHz β=125-900 *K |
普通用途 |
|
|
| BC271 |
硅 NPN 25V 1A 0.3W |
普通用途 |
|
|
| 2N7236 |
P 沟 100V 18A 125W |
金属氧化物场效应管 |
|
|
| BC268A |
硅 NPN 30V 0.5A 0.375W |
普通用途 |
|
|
| 2N7273 |
N沟 100V 12A |
金属氧化物场效应管 |
|
|
